
簡(jiǎn)要描述:ENJ2005-C半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動(dòng)生成,也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立,保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 |
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ENJ2005-C半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)概述:
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動(dòng)生成,也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立,保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過USB或者RS232與電腦連接,以 及人機(jī)界面操作,即可完成測(cè)試,并實(shí)現(xiàn)結(jié)果以Excel和Date的格式保存。
測(cè)試參數(shù):
漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù):BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù):IL、IL+、IL-
混合參數(shù):rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數(shù):IL
ENJ2005-C半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)配置規(guī)格:
配置 | 規(guī)格/環(huán)境 | ||
主極電壓 | 1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280(mm) |
電壓分辨率 | 1mV | 質(zhì) 量 | 35kg |
主極電流 | 0.1nA-100A | 工作電壓 | 200V-240V |
擴(kuò)展電流 | / | 電源頻率 | 47Hz-63Hz |
電流分辨率 | 0.1nA | 工作溫度 | 25℃-40℃ |
測(cè)試精度 | 0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
測(cè)試速度 | 0.5mS/參數(shù) | 系統(tǒng)功耗 | <150w |
測(cè)試范圍:
01 | 二極管 / DIODE |
02 | 晶體管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型場(chǎng)效應(yīng)管 / J-FET |
04 | MOS場(chǎng)效應(yīng)管 / MOS-FET |
05 | 雙向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT |
08 | 硅觸發(fā)可控硅 / STS |
09 | 達(dá)林頓陣列 / DARLINTON |
10 | 光電耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 繼電器 / RELAY |
12 | 穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER |
13 | 三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR |
14 | 光電開關(guān) / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大類27分類 | |
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