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EN-DBC-21晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:EN-DBC-21晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適用于平板型單向晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2025-09-25
  • 訪  問(wèn)  量:1793

詳細(xì)介紹

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EN-DBC-21晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適用于平板型單向晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。本設(shè)備符合國(guó)家JB/T 7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測(cè)試方法。

EN-DBC-21晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)參數(shù)條件:

斷態(tài)電壓臨界上升率

測(cè)試單元


斷態(tài)電壓測(cè)試范圍:500-4000V、分辨率、1V精度±5%;

電壓過(guò)沖范圍:500~4000V:+10%;(800V以下時(shí)按dv/dt=500V/μS驗(yàn)收)

電壓上升率:200V/μS、500 V/μS、1000V/μS、1500 V/μS、 2000V/μS共5檔,精度±10%

按模擬負(fù)載為 2.2nF電容器校準(zhǔn);準(zhǔn)線性電壓上升率

測(cè)試頻率:?jiǎn)未?/p>

關(guān)斷時(shí)間測(cè)試單元


通態(tài)電流測(cè)試范圍:200A~3000A; 分辨率:1A; 精度±5%;

工作頻率: 0.2~0.5Hz; 關(guān)斷時(shí)間測(cè)試范圍:5~1500µs;

通態(tài)電流脈沖底寬: ≥4ms;

反向電壓:50~200V連續(xù)可調(diào),分辨率 1V; 精度±5%;

再加電壓范圍:500V~4000V,分辨率 1V; 精度±5%;

再加電壓上升率:分為 30V/µs、100V/µs、300V/µs三檔,精度±10%;

關(guān)斷時(shí)間測(cè)試精度范圍:8~1500µs±5%±1µs,分檔;

電流下降率:分為 10A/µs、20A/µs兩檔,精度±20%;

恢復(fù)電荷、反向恢復(fù)電流、

反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試單元


通態(tài)電流測(cè)試范圍:200A~3000A; 分辨率:1A; 精度±5%;

工作頻率:0.2~0.5Hz;

通態(tài)電流脈沖底寬: ≥4ms;

反向電壓:50~200V連續(xù)可調(diào),分辨率 1V; 精度±5%;

恢復(fù)電荷測(cè)試范圍:500~20000µs;

恢復(fù)電荷測(cè)試精度范圍:200~20000µs,精度±50µs±5%;

重復(fù)性:同一只元件,連續(xù)測(cè)試  10次誤差±50µs±3%;

電流下降率:分為 10A/µs、20A/µs兩檔,精度±20%;

可測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電流IR;

自動(dòng)恒溫壓力夾具


工作方式:氣動(dòng);

壓力范圍:10~60kN; 分辨率 0.1kN; 精度±5%±1kN;

溫度控制精度范圍:70~150℃,分辨率 0.1℃,精度±1.5℃;

夾頭耐壓: 夾頭對(duì)機(jī)殼耐壓: 峰值10k0V,1 分鐘;

加熱體對(duì)夾頭耐壓:峰值10kV,1 分鐘;

夾頭行程: ≥80mm;   臺(tái)面直徑: 大于Ф130mm;

夾頭自找平能力:≥1mm;

夾頭最大工作電流: 10kA(峰值、底寬 10mS、工作頻率≤5Hz );

夾頭表面平面度:≤20µs;       導(dǎo)柱間跨距:≮260mm;

夾頭極性:上為陰極,下為陽(yáng)極;

采樣:中心采樣,上下夾頭采樣頂針同軸

測(cè)試窗可自動(dòng)開關(guān);

適配器(用以測(cè)試不同規(guī)格器件的壓塊)采用鋼材料;


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